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所謂IR降系指電流在介質(zhì)中流動(dòng)所形成的電阻壓降，在管／地電位測(cè)量中，IR降屬有害成分，應(yīng)予去除。
IR降是由參數(shù)I和R共同作用的，通常多在幾十毫伏到幾百毫伏之間，當(dāng)電阻率高時(shí)，幾千毫伏有時(shí)也會(huì)出現(xiàn)，表17-3給出了距覆蓋層缺陷裸管表面1.5m處，llmA/mZ電流密度德國(guó)PLE公司曾在60年代，對(duì)他們所轄管道上進(jìn)行了IR降的研究和評(píng)價(jià)，發(fā)現(xiàn)在-0.85V電位保護(hù)下，管道腐蝕仍很嚴(yán)重。當(dāng)他們采用消除IR降成分的方法重新評(píng)價(jià)這些管道時(shí)，只有60%的管道達(dá)到了真正的保護(hù)(-0.85V)。
七、八十年代IR降問題曾引起國(guó)際腐蝕界關(guān)于陰極保護(hù)準(zhǔn)則的大討論，最終以NACERP 0169-92的修訂而告終。
由于IR降在陰極保護(hù)電位測(cè)量中難以避免，所以消除IR降的測(cè)量技術(shù)就成了各國(guó)腐蝕專家的首要任務(wù)。 |
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